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筛选条件: 2026-07-13 [星期一] 会议中心-荆月厅209

日期:2026年07月13日

地点:会议中心-荆月厅209

08:40 -10:10 | Z1-1A
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
08:40-09:10 主旨报告

突破集成电路接触电阻量子极限

骆军委 中国科学院半导体研究所
09:10-09:40 主旨报告

功率半导体器件热管理材料研究与应用

张 刚 北京理工大学
09:40-09:55 邀请报告

三维相变存储器材料物理、设计及相变新原理探索

陈念科 吉林大学
09:55-10:10 邀请报告

智能体驱动的新型半导体智能设计平台

沈 忱 苏州国家实验室
10:10 -10:30 | 茶歇
10:30 -12:05 | Z1-1B
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
10:30-11:00 主旨报告

高温超导:反铁磁序强关联的电声耦合

邓惠雄 中国科学院半导体研究所
11:00-11:15 邀请报告

半导体浅能级杂质的大超胞模拟方法及其应用

康 俊 北京计算科学研究中心
11:15-11:30 邀请报告

Neural Network-Assisted Rapid Determination of Semiconductor Defect Parameters

刘 俊 中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所
11:30-11:45 邀请报告

准一维螺旋GaSeI纳米链的光电及热学性质

张 健 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
11:45-11:55 口头报告

电子化合物:从认知到应用

张雷雷 黄河科技学院
11:55-12:05 口头报告

First-Principles Study on the Band-Gap Stability and Tunability of Low-Dimensional Molecular Crystals M2O3 (M = As, Sb, Bi)

孙 丽 南方科技大学
13:30 -15:00 | Z1-1C
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
13:30-14:00 主旨报告

半导体缺陷的智能学习引擎软件ILED

陈时友 复旦大学
14:00-14:15 邀请报告

从界面和缺陷计算到晶体管可靠性模拟

刘岳阳 中国科学院半导体研究所
14:15-14:30 邀请报告

High-throughput design of high-performance high-kdielectrics for 2D electronics

杨 明 香港理工大学
14:30-14:45 邀请报告

Rashba effect in 2D Janus group-III chalcogenides: Control via atomic-scale structural engineering

秦真真 郑州大学 物理学院
14:45-15:00 邀请报告

超薄相变信息存储材料设计及相变机理研究

王雪鹏 深圳大学
15:00 -15:20 | 茶歇
15:20 -17:00 | Z1-1D
编号 时间 类型 题目 讲者 单位
15:20-15:50 主旨报告

外场下半导体中的物态调控

黄 兵 北京计算科学研究中心
15:50-16:05 邀请报告

VO2中光致相变的原子机制

刘文浩 中国科学院半导体研究所
16:05-16:20 邀请报告

Diverse moiré excitonic physics in 2D van der Waals superlattices

Chen Hu The Chinese University of Hong Kong
16:20-16:35 邀请报告

光场诱导的交错磁性

阮佳伟 宁波东方理工大学
16:35-16:50 邀请报告

Altermagnetophononics: Ultrafast control over altermagnets via phonon coherence

王晨宇 南京理工大学
16:50-17:00 邀请报告

Excitons in 2D Magnetic Materials: Calculations and Applications

孙久雨 南京理工大学