D06-先进微电子与光电子材料
日期:2026年07月14日
地点:汉厅-212
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 13:30-13:55 | 邀请报告 |
基于锗空穴气的量子器件输运特性研究 |
王积银 | 北京量子信息科学研究院 | |
| 13:55-14:20 | 邀请报告 |
高迁移率ALD氧化物半导体晶体管 |
司梦维 | 上海交通大学 | |
| 14:20-14:45 | 邀请报告 |
原子层沉积技术制备单质金属 |
杨 军 | 上海大学 | |
| 14:45-15:00 | 口头报告 |
集成电路互连应用中的ALD低阻金属、超低κ介质薄膜制备技术 |
国 政 | 青岛思锐智能科技股份有限公司 |
| 编号 | 时间 | 类型 | 题目 | 讲者 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 15:25-15:40 | 口头报告 |
化学放大型光刻胶的设计合成及性能研究 |
辛涵申 | 上海大学 | |
| 15:40-15:55 | 口头报告 |
β-Ga2O3欧姆接触与电学性能调控 |
孙汝军 | 西安电子科技大学 | |
| 15:55-16:10 | 口头报告 |
基于原子层沉积的氧化镓相结制备及其光电特性研究 |
王 湛 | 西安邮电大学 | |
| 16:10-16:25 | 口头报告 |
纳米金属-石墨烯复合高散热互连材料制备及性能研究 |
杨冠南 | 广东工业大学 | |
| 16:25-16:40 | 口头报告 |
基于氧化镓忆阻器的多功能加密器件研究 |
孙 静 | 西安电子科技大学 |